蓝宝石为六方晶格结构，很多特性便是由其晶向决定的。通过外延晶膜生长，不同的晶向将呈现不同的晶格与目标材料匹配。蓝宝石有一定的双折射特性，特殊的结晶轴被用于一些光学领域，比如极化基底：
C型切面的蓝宝石基底被用于生长III-V与II-VI族沉积薄膜，比如氮化**，可以产出蓝色的LED产品、激光二极管以及红外线探测仪的应用。
A型基底产生统一的电容率/介质，并且高度**缘被应用于混合微电子技术中。高温的超导体可由A型基底长晶产生。
R型基底生长的不同沉积的硅料外延长晶，被应用于微电子集成电路。蓝宝石由于其高电容率的特性，是混合基底的选择，例如在微波集成电路中的应用。此外，在对外延硅生长制膜的过程中，还可以形成高速的集成电路和压力传感器。在制作砣、其它超导组件、高阻电阻器、**化**时亦可应用R型基底生长。
M、A、R型均可生长非极性或半极性的氮化**。蓝宝石作为商业产品仍然需要大量的研究提高氮化**磊晶的材料品质。
材料： >99.999%, High Purity, Monocrystalline Al2O3
晶向：A向<1120>
直径：2’’/4’’
厚度：430 +/- 25um （2’’） 650 +/- 25um （4’’）
定位边： 有
定位边长度： 16.0 ± 1.0mm （2’’） 30.0 ± 1.0mm （4’’）
正面： Epi-Polished, Ra≤0.2nm
反面： Epi-Polished, Ra≤0.2nm （双抛）
FinegroundRa=0.8-1.2um（单抛）
TTV: <10 um
BOW: <10 um
Warp : <10 um
包装：百级无尘室包装，双层白色塑料袋真空冲氮，进口多片盒装。
